半导体电阻率测试方案
电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的情况，需要测试材料的电阻率。半导体材料电阻率测试方法有很多种，其中四探针法具有设备简单、操作方便、测量精度高以及对样品形状无严格要求的特点。因此，目前检测半导体材料电阻率，尤其对于薄膜样品来说，四探针是较常用的方法。
四探针技术要求使用四根探针等间距的接触到材料表面。在外边两根探针之间输出电流的同时，测试中间两根探针的电压差。最后，电阻率通过样品的几何参数，输出电流源和测到的电压值来计算得出。
四探针法测量半导体电阻率测试方案，使用美国吉时利公司开发的高精度源测量单元（SMU），既可以在输出电流时测试电压，也可以在输出电压时测试电流。输出电流范围从皮安级到安培级可控，测量电压分辨率高达微伏级。支持四线开尔文模式，因此适用于四探针测试，可以简化测试连接，得到准确的测试结果。与兵妹妹在机房
●系统提供上位机软件，内置电阻率计算公式，符合国标硅单晶电阻率测试标准，测试结束后直接从电脑端读取计算结果，方便后续数据的处理分析。
●四探针头采用碳化钨材质，间距 1 毫米，探针精确稳定。采用悬臂式结构，探针具有压力行程。针对不同材料的待测件，提供多种不同间距，不同针尖直径的针头选项
●探针台具备粗 / 细两级高度调整，细微调整时，高度分辨率高达 2 微米，精密控制探针头与被测物之间的距离，防止针头对被测物的损害
●系统主要由吉时利源表（SMU）、四探针台和上位机软件组成。四探针可以通过前面板香蕉头或后面板排线接口连接到源表上。
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